APT106N60B2C6
Číslo produktu výrobce:

APT106N60B2C6

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

APT106N60B2C6-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 106A T-MAX
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 106A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventář:

32 Ks Nový Originál Skladem
13262818
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

APT106N60B2C6 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
106A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
35mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 3.4mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
308 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8390 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
833W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
T-MAX™ [B2]
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
APT106

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
30

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

MSC750SMA120B

MOSFET N-CH 1200V TO247

microchip-technology

APT6021BFLLG

MOSFET N-CH 600V 29A TO247

microchip-technology

APT1001RSVRG

MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK

microsemi

APTM50UM25SG

MOSFET N-CH 500V 149A MODULE