APT10M11JVRU3
Číslo produktu výrobce:

APT10M11JVRU3

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

APT10M11JVRU3-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventář:

13249614
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

APT10M11JVRU3 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
142A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 71A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
450W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
APT10M11

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
1
Další jména
APT10M11JVRU3MI-ND
APT10M11JVRU3MI

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

APT130SM70J

SICFET N-CH 700V 78A SOT227

microchip-technology

APT8020B2LLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

microsemi

2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

microchip-technology

APT58M50JCU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227