APT10M11LVRG
Číslo produktu výrobce:

APT10M11LVRG

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

APT10M11LVRG-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 100A TO264
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 (L)

Inventář:

28 Ks Nový Originál Skladem
12976131
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

APT10M11LVRG Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS V®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
11mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
520W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-264 (L)
Balení / pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Základní číslo výrobku
APT10M11

Další informace

Standardní balíček
20
Další jména
150-APT10M11LVRG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
stmicroelectronics

TD134N4F7AG

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

harris-corporation

RF1S23N06LE

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

rohm-semi

R6024VNXC7G

600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

rohm-semi

R6024VNX3C16

600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT