Číslo produktu výrobce:
APT1201R4BLLG
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT1201R4BLLG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 9A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
12954466
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT1201R4BLLG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 7®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
APT1201
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
150-APT1201R4BLLG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK9245-55A/C1118
N-CHANNEL POWER MOSFET
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
H5N2512FN-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
