Číslo produktu výrobce:
APT1201R5BVRG
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT1201R5BVRG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 10A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventář:
12939234
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT1201R5BVRG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4440 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
-
Provozní teplota
-
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-3
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
APT1201
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
150-APT1201R5BVRG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SQ2361AEES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
SQ4410EY-T1_BE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
SQJ488EP-T1_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
