APT22F100J
Číslo produktu výrobce:

APT22F100J

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

APT22F100J-DG

Popis:

MOSFET N-CH 1000V 23A ISOTOP
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Inventář:

13255904
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

APT22F100J Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
23A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
380mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
305 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9835 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
545W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
ISOTOP®
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
APT22F100

Technický list a dokumenty

Další informace

Standardní balíček
10

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IXFN30N120P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN30N120P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
46.25
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

APT18F60B

MOSFET N-CH 600V 19A TO247

microsemi

2N6764

MOSFET N-CH 100V 38A TO3

microchip-technology

APT10078SLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

onsemi

NVHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC