Číslo produktu výrobce:
APT29F100B2
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT29F100B2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventář:
37 Ks Nový Originál Skladem
13252746
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT29F100B2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
440mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1040W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
T-MAX™ [B2]
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
APT29F100
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
APT20M18LVRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
APTM20DAM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
APT5020BVFRG
MOSFET N-CH 500V 26A TO247