Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
APT56M50B2
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT56M50B2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™
Inventář:
Poptejte online
13261853
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT56M50B2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
56A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
780W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
T-MAX™
Balení / pouzdro
TO-247-3 Variant
Základní číslo výrobku
APT56M50
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
APT56M50(B2,L)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
APT56M50B2MI
APT56M50B2MI-ND
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
APT56F50B2
VÝROBCE
Microchip Technology
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
19
DiGi ČÍSLO DÍLU
APT56F50B2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
10.15
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
APT50M38JLL
MOSFET N-CH 500V 88A ISOTOP
APT5010JVRU2
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT17F100B
MOSFET N-CH 1000V 17A TO247
APT36N90BC3G
MOSFET N-CH 900V 36A TO247