Číslo produktu výrobce:
APT58M50JU2
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT58M50JU2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 58A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventář:
13254166
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT58M50JU2 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
58A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
65mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
543W (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
APT58M50
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXFN100N50P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
85
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN100N50P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
34.48
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFN80N50Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
10
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN80N50Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
38.11
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFN100N50Q3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFN100N50Q3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
44.05
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
APT7M120B
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
APTM20DAM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
APT18M80B
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
