Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
APT6029BLLG
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT6029BLLG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventář:
Poptejte online
13257401
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT6029BLLG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 7®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
21A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
290mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2615 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 [B]
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
APT6029
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
APT6029(B,S)LL
Další informace
Standardní balíček
1
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTH30N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
648
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTH30N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.55
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTH30N60L2
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
475
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTH30N60L2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
12.61
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXFH28N60P3
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
182
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXFH28N60P3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.54
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTH26N60P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTH26N60P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.53
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
476
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW18N60M2-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
APT47M60J
MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
APT5017BVFRG
MOSFET N-CH 500V 30A TO247
APT12080JVR
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP
APL602B2G
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX