Číslo produktu výrobce:
APT9M100B
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
APT9M100B-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventář:
13258351
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
APT9M100B Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
POWER MOS 8™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1000 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2605 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
335W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247 [B]
Balení / pouzdro
TO-247-3
Základní číslo výrobku
APT9M100
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
APT8052BFLLG
MOSFET N-CH 800V 15A TO247
APTM20SKM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
2N6770
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
