Číslo produktu výrobce:
DN3765K4-G
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
DN3765K4-G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventář:
3653 Ks Nový Originál Skladem
12815156
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
DN3765K4-G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
650 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
300mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
0V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
825 pF @ 25 V
Funkce FET
Depletion Mode
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252 (DPAK)
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
DN3765
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Sestavení/původ PCN
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
DN3765K4-GTR
DN3765K4-GDKR
DN3765K4-GCT
DN3765K4-G-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
SPD02N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
