LND150N3-G-P014
Číslo produktu výrobce:

LND150N3-G-P014

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

LND150N3-G-P014-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventář:

1940 Ks Nový Originál Skladem
12818420
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

LND150N3-G-P014 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tape & Box (TB)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
30mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
0V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10 pF @ 25 V
Funkce FET
Depletion Mode
Ztrátový výkon (max.)
740mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základní číslo výrobku
LND150

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
Sestavení/původ PCN
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
2,000
Další jména
LND150N3-G-P014-DG
150-LND150N3-G-P014TB
150-LND150N3-G-P014CT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

VP2110K1-G

MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB

infineon-technologies

IRFR7546PBF

MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

infineon-technologies

IRL1404ZSTRL

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB4127PBF

MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB