MSC040SMA120S
Číslo produktu výrobce:

MSC040SMA120S

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

MSC040SMA120S-DG

Popis:

SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 64A (Tc) 303W Surface Mount D3PAK

Inventář:

42 Ks Nový Originál Skladem
13258955
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MSC040SMA120S Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
64A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.6V @ 2mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 20 V
VGS (Max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 1000 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
303W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D3Pak
Balení / pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Základní číslo výrobku
MSC040

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
30

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
goford-semiconductor

G500P03IE

MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23

goford-semiconductor

G090P02S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

goford-semiconductor

GT016N10Q

MOSFET N-CH 100V 228A TO-247

transphorm

TP65H035G4QS

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG