Číslo produktu výrobce:
MSC080SMA330B4
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
MSC080SMA330B4-DG
Popis:
MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247
Podrobný popis:
N-Channel 3300 V 41A (Tc) 381W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventář:
12975992
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MSC080SMA330B4 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
3300 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
41A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
105mOhm @ 30A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.97V @ 3mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 20 V
VGS (Max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3462 pF @ 2400 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
381W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-247-4
Balení / pouzdro
TO-247-4
Základní číslo výrobku
MSC080
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
150-MSC080SMA330B4
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PMPB17EPX
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
PXP015-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
FDY100PZ-G
MOSFET P-CH SC89
