Číslo produktu výrobce:
MSC70SM120JCU3
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
MSC70SM120JCU3-DG
Popis:
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227
Podrobný popis:
N-Channel 1200 V 89A (Tc) 395W (Tc) Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)
Inventář:
12939648
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MSC70SM120JCU3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
89A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
20V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 20 V
VGS (Max)
+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
395W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-227 (ISOTOP®)
Balení / pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo výrobku
MSC70SM120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
13
Další jména
150-MSC70SM120JCU3
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
APT34M60S/TR
MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
TK55S10N1,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
APT1003RSFLLG/TR
MOSFET N-CH 1KV 4A D3PAK