Číslo produktu výrobce:
MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
MSCSM120DDUM31CTBL2NG-DG
Popis:
SIC 4N-CH 1200V 79A
Podrobný popis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 79A 310W Chassis Mount
Inventář:
13000849
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurace
4 N-Channel, Common Source
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
79A
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
31mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
232nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3020pF @ 1000V
Výkon - Max
310W
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balení / pouzdro
Module
Balíček zařízení dodavatele
-
Základní číslo výrobku
MSCSM120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
150-MSCSM120DDUM31CTBL2NG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMT4015LDV-13
MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333
DMTH8030LPDW-13
MOSFET 2N-CH 80V 28.5A POWERDI50
GT090N06D52
MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
