Číslo produktu výrobce:
MSCSM120VR1M11CT6AG
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
MSCSM120VR1M11CT6AG-DG
Popis:
SIC 2N-CH 1200V 251A
Podrobný popis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 251A (Tc) 1.042kW (Tc) Chassis Mount
Inventář:
12989525
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MSCSM120VR1M11CT6AG Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, FET, MOSFET pole
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfigurace
2 N Channel (Phase Leg)
Funkce FET
-
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1200V (1.2kV)
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
251A (Tc)
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 9mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
696nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 1000V
Výkon - Max
1.042kW (Tc)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balení / pouzdro
Module
Balíček zařízení dodavatele
-
Základní číslo výrobku
MSCSM120
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
150-MSCSM120VR1M11CT6AG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MSCSM70VR1M03CT6AG
SIC 2N-CH 700V 585A
NTMFD0D9N02P1E
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
IRFI4020H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
