Číslo produktu výrobce:
TP0610T-G
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
TP0610T-G-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 120MA TO236AB
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventář:
14569 Ks Nový Originál Skladem
12805117
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TP0610T-G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB (SOT23)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
TP0610
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Technické listy
Sestavení/původ PCN
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
TP0610T-GDKR
TP0610T-GTR
TP0610T-G-DG
TP0610T-GCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
IRL2505STRL
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
IPD65R250C6XTMA1
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
