Číslo produktu výrobce:
TP5335MF-G-VAO
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
TP5335MF-G-VAO-DG
Popis:
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO
Podrobný popis:
P-Channel 350 V 85mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventář:
13004384
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TP5335MF-G-VAO Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
350 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
85mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q100
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
6-DFN (2x2)
Balení / pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
TP5335
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
150-TP5335MF-G-VAOTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
