Číslo produktu výrobce:
VN10KN3-G
Product Overview
Výrobce:
Microchip Technology
Číslo dílu:
VN10KN3-G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventář:
6680 Ks Nový Originál Skladem
12808173
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
VN10KN3-G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bag
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
310mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základní číslo výrobku
VN10KN3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SN7002NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
SPI16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
VN10KN3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
