VP0109N3-G
Číslo produktu výrobce:

VP0109N3-G

Product Overview

Výrobce:

Microchip Technology

Číslo dílu:

VP0109N3-G-DG

Popis:

MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Podrobný popis:
P-Channel 90 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventář:

697 Ks Nový Originál Skladem
12811018
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

VP0109N3-G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microchip Technology
Balení
Bag
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
90 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
250mA (Tj)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
1W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Základní číslo výrobku
VP0109

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
1,000

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microchip-technology

VP2206N3-G-P003

MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

infineon-technologies

IRF2807STRLPBF

MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

infineon-technologies

IRLZ44ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

microchip-technology

VN2450N3-G

MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3