Číslo produktu výrobce:
2N6768
Product Overview
Výrobce:
Microsemi Corporation
Číslo dílu:
2N6768-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventář:
13256621
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2N6768 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
400 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
14A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3
Balení / pouzdro
TO-204AE
Základní číslo výrobku
2N6768
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
150-2N6768
2N6768-ND
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
APT20M18LVFRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
APT20M45BVRG
MOSFET N-CH 200V 56A TO247
APT1001RBVRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
