Číslo produktu výrobce:
JAN2N6770
Product Overview
Výrobce:
Microsemi Corporation
Číslo dílu:
JAN2N6770-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Inventář:
12924349
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
JAN2N6770 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Microsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
500mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Military
Kvalifikace
MIL-PRF-19500/543
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-204AE (TO-3)
Balení / pouzdro
TO-204AE
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1
Další jména
JAN2N6770-MIL
JAN2N6770-DG
150-JAN2N6770
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
JANTXV2N7224
MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
FDD107AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.9A TO252
IRFBC30ASTRRPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
