BSN20BKR
Číslo produktu výrobce:

BSN20BKR

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

BSN20BKR-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB

Inventář:

169700 Ks Nový Originál Skladem
12829001
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

BSN20BKR Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
265mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.8Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20.2 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
310mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
BSN20

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
568-12638-1
568-12638-2
568-12638-2-DG
2156-BSN20BKRTR
1727-2341-6
568-12638-6
1727-2341-2
1727-2341-1
934068054215
568-12638-1-DG
568-12638-6-DG
5202-BSN20BKRTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

BUK9213-60EJ

MOSFET N-CH 60V DPAK

nexperia

PSMN6R4-30MLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33

nexperia

PMCM950ENEZ

MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP

nexperia

PMZ1000UN,315

MOSFET N-CH 30V 480MA DFN1006-3