Číslo produktu výrobce:
PEMB1,115
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PEMB1,115-DG
Popis:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventář:
12831145
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PEMB1,115 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Nexperia
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
22kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
22kOhms
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
1µA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-666
Základní číslo výrobku
PEMB1
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RN2903FE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3450
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2903FE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RN2908FE(TE85L,F)
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2908FE(TE85L,F)-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PUMB13,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PIMH9,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSOP
PUMD48/ZLH
TRANS PREBIAS