Číslo produktu výrobce:
PEMB3,115
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PEMB3,115-DG
Popis:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Podrobný popis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventář:
12829110
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PEMB3,115 Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Bipolární tranzistorové pole, předbiasované
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ tranzistoru
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Proud - sběrač (Ic) (Max)
100mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
50V
Rezistor - Báze (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Báze emitoru (R2)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
1µA
Frekvence - přechod
-
Výkon - Max
300mW
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
SOT-563, SOT-666
Balíček zařízení dodavatele
SOT-666
Základní číslo výrobku
PEMB3
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
PEMB3 T/R
5202-PEMB3,115TR
PEMB3 T/R-DG
934056867115
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NSBA143TDXV6T1G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NSBA143TDXV6T1G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RN2910FE,LF(CT
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4000
DiGi ČÍSLO DÍLU
RN2910FE,LF(CT-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.02
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
EMB3T2R
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14561
DiGi ČÍSLO DÍLU
EMB3T2R-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.05
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
PIMC31,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
PQMD3Z
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
PUMH14,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
