PHB27NQ10T,118
Číslo produktu výrobce:

PHB27NQ10T,118

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PHB27NQ10T,118-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventář:

7068 Ks Nový Originál Skladem
12831569
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PHB27NQ10T,118 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
50mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
107W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
PHB27NQ10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
1727-4763-1
1727-4763-2
PHB27NQ10T /T3-DG
1727-4763-6
5202-PHB27NQ10T,118TR
PHB27NQ10T,118-DG
568-5940-1
568-5940-2
568-5940-6-DG
568-5940-6
PHB27NQ10T /T3
934055809118
568-5940-2-DG
568-5940-1-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

BUK9620-55A,118

MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK

infineon-technologies

BSC0909NSATMA1

MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON

nexperia

PMN16XNEX

MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP

infineon-technologies

AUIRFS8408-7TRR

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK