Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
DR Kongo
Argentina
Turecko
Rumunsko
Litva
Norsko
Rakousko
Angola
Slovensko
LTALY
Finsko
Bělorusko
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Černá Hora
Ruština
Belgie
Švédsko
Srbsko
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Moldavsko
Německo
Nizozemsko
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
Francie
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Portugalsko
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Španělsko
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
PHB45NQ10T,118
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PHB45NQ10T,118-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventář:
5193 Ks Nový Originál Skladem
12899736
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PHB45NQ10T,118 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
47A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
PHB45NQ10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
PHB45NQ10T
Technické listy
PHB45NQ10T,118
HTML Datový list
PHB45NQ10T,118-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
PHB45NQ10T118
934055802118
5202-PHB45NQ10T,118TR
568-5943-6
PHB45NQ10T,118-DG
1727-4766-1
1727-4766-2
1727-4766-6
568-5943-2
568-5943-6-DG
PHB45NQ10T /T3
568-5943-1-DG
568-5943-2-DG
568-5943-1
PHB45NQ10T /T3-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
DMP2004TK-7
MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
TSM15N50CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220
TSM3446CX6 RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
DMP2040UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN