PHB45NQ10T,118
Číslo produktu výrobce:

PHB45NQ10T,118

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PHB45NQ10T,118-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventář:

5193 Ks Nový Originál Skladem
12899736
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PHB45NQ10T,118 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
47A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
25mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
D2PAK
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
PHB45NQ10

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800
Další jména
PHB45NQ10T118
934055802118
5202-PHB45NQ10T,118TR
568-5943-6
PHB45NQ10T,118-DG
1727-4766-1
1727-4766-2
1727-4766-6
568-5943-2
568-5943-6-DG
PHB45NQ10T /T3
568-5943-1-DG
568-5943-2-DG
568-5943-1
PHB45NQ10T /T3-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
diodes

DMP2004TK-7

MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523

taiwan-semiconductor

TSM15N50CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220

taiwan-semiconductor

TSM3446CX6 RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26

diodes

DMP2040UFDF-7

MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN