Číslo produktu výrobce:
PMPB25ENEX
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PMPB25ENEX-DG
Popis:
MOSFET DFN2020MD-6
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventář:
4791 Ks Nový Originál Skladem
12831674
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PMPB25ENEX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
24mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
607 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.1W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN2020MD-6
Balení / pouzdro
6-UDFN Exposed Pad
Základní číslo výrobku
PMPB25
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
1727-7662-1
5202-PMPB25ENEXTR
1727-7662-2
PMPB25ENEX-DG
934660353115
1727-7662-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PMV27UPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
BST82,235
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
