PMV20ENR
Číslo produktu výrobce:

PMV20ENR

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PMV20ENR-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 6A (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventář:

184549 Ks Nový Originál Skladem
12829417
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PMV20ENR Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
21mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
PMV20

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
568-12587-2-DG
1727-2301-2
568-12587-1-DG
1727-2301-1
1727-2301-6
568-12587-6
5202-PMV20ENRTR
568-12587-1
568-12587-2
934068497215
568-12587-6-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

PMPB13XNE,115

MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6

nexperia

PSMN1R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK7108-40AIE,118

MOSFET N-CH 40V 75A SOT426

nexperia

PSMN3R8-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK