PMV45EN2R
Číslo produktu výrobce:

PMV45EN2R

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PMV45EN2R-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 4.1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventář:

62436 Ks Nový Originál Skladem
12828078
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PMV45EN2R Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.1A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
42mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
209 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
510mW (Ta), 5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
PMV45EN2

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
568-12593-2
568-12593-1
568-12593-2-DG
1727-2307-2
568-12593-1-DG
568-12593-6-DG
1727-2307-1
1727-2307-6
5202-PMV45EN2RTR
568-12593-6
934068494215

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

PMV50ENEAR

MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB

nexperia

BUK3F00-50WDFE,518

IC 9675 AUTO 64QFP

nexperia

PSMN1R5-25YL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

nexperia

PMPB85ENEAX

MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6