PMV52ENER
Číslo produktu výrobce:

PMV52ENER

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PMV52ENER-DG

Popis:

PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventář:

1301 Ks Nový Originál Skladem
12974724
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PMV52ENER Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
630mW (Ta), 5.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
1727-PMV52ENERTR
1727-PMV52ENERCT
PMV52ENE
934664415215
1727-PMV52ENERDKR
5202-PMV52ENERTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
PMV52ENEAR
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
12675
DiGi ČÍSLO DÍLU
PMV52ENEAR-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.08
Druh náhrady
Parametric Equivalent
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NVTYS9D6P04M8LTWG

MV8 40V LL SINGLE PCH L

vishay-siliconix

SQJ488EP-T2_BE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

texas-instruments

CSD17507Q5AT

IC CLOCK BUFFER

alpha-and-omega-semiconductor

AO3495

MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3