Číslo produktu výrobce:
PMV60ENEAR
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PMV60ENEAR-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 3A (Ta) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Inventář:
24958 Ks Nový Originál Skladem
12830207
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PMV60ENEAR Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
40 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
75mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
615mW (Ta), 7.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automotive
Kvalifikace
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-236AB
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
PMV60
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,000
Další jména
1727-8667-1
1727-8667-2
934661154215
PMV60ENEA
5202-PMV60ENEARTR
1727-8667-6
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK6211-75C,118
MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
PSMN8R5-100PSFQ
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
BUK6213-30A,118
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
