Číslo produktu výrobce:
PMX800ENEZ
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PMX800ENEZ-DG
Popis:
PMX800ENEZ
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 300mW (Ta), 4.7W (Tc) Surface Mount DFN0603-3 (SOT8013)
Inventář:
12987468
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PMX800ENEZ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.1Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
32 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300mW (Ta), 4.7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
DFN0603-3 (SOT8013)
Balení / pouzdro
0201 (0603 Metric)
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
15,000
Další jména
1727-PMX800ENEZ
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
SQJA86EP-T1_BE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
NVTFWS040N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
SIDR870ADP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
