Číslo produktu výrobce:
PSMN1R0-25YLDX
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PSMN1R0-25YLDX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventář:
5941 Ks Nový Originál Skladem
12830453
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PSMN1R0-25YLDX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
25 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
0.89mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
71.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5308 pF @ 12 V
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Ztrátový výkon (max.)
160W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN1R0
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
568-12927-6-DG
568-12927-6
568-12927-2-DG
1727-2495-6
5202-PSMN1R0-25YLDXTR
568-12927-1-DG
568-12927-1
1727-2495-1
1727-2495-2
568-12927-2
934069908115
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK9Y6R0-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
BUK9M12-60EX
MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
BUK664R6-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
