PSMN1R4-30YLDX
Číslo produktu výrobce:

PSMN1R4-30YLDX

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PSMN1R4-30YLDX-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventář:

19042 Ks Nový Originál Skladem
12829081
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PSMN1R4-30YLDX Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.42mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54.8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3840 pF @ 15 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
166W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN1R4

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,500
Další jména
568-11557-2
568-11557-1
568-11557-6-DG
PSMN1R4-30YLDX-DG
568-11557-2-DG
568-11557-1-DG
1727-1861-1
1727-1861-2
5202-PSMN1R4-30YLDXTR
934068236115
568-11557-6
1727-1861-6

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
infineon-technologies

AUIRF7736M2TR

MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET

nexperia

PMV50UPE,215

MOSFET P-CH 20V 3.2A TO236AB

nexperia

BUK9614-55A,118

MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

nexperia

BUK9M15-60EX

MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33