PSMN6R0-30YL,115
Číslo produktu výrobce:

PSMN6R0-30YL,115

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PSMN6R0-30YL,115-DG

Popis:

MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 79A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventář:

3630 Ks Nový Originál Skladem
12830932
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PSMN6R0-30YL,115 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
79A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.15V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1425 pF @ 12 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
55W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN6R0

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,500
Další jména
PSMN6R0-30YL T/R
568-4685-6
568-4685-1
568-4685-1-DG
568-4685-6-DG
568-4685-2
568-4685-2-DG
1727-4169-6
934063076115
1727-4169-1
1727-4169-2
5202-PSMN6R0-30YL,115TR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

BUK6Y20-30PX

MOSFET P-CH 30V 41A LFPAK56

nexperia

PMXB40UNEZ

MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

nexperia

PMN280ENEAX

MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP

nexperia

PSMN3R5-80ES,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK