Číslo produktu výrobce:
PSMN6R9-100YSFX
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PSMN6R9-100YSFX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 238W Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventář:
1278 Ks Nový Originál Skladem
12830137
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PSMN6R9-100YSFX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
238W
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN6R9
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
1727-PSMN6R9-100YSFQCT
PSMN6R9-100YSFQ
934071219115
1727-PSMN6R9-100YSFXDKR
1727-PSMN6R9-100YSFXCT
PSMN6R9-100YSFX-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR
5202-PSMN6R9-100YSFXTR
PSMN6R9-100YSFQ-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR
1727-PSMN6R9-100YSFXTR
1727-PSMN6R9-100YSFQCT-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQTR-DG
1727-PSMN6R9-100YSFQDKR-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
BSH108,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
BUK9Y113-100E,115
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
BSH114,215
MOSFET N-CH 100V 500MA TO236AB