PSMN7R0-60YS,115
Číslo produktu výrobce:

PSMN7R0-60YS,115

Product Overview

Výrobce:

Nexperia USA Inc.

Číslo dílu:

PSMN7R0-60YS,115-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 89A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

Inventář:

58809 Ks Nový Originál Skladem
12832613
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

PSMN7R0-60YS,115 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
89A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2712 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
117W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN7R0

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
1,500
Další jména
568-5596-1-DG
5202-PSMN7R0-60YS,115TR
568-5596-1
568-5596-2-DG
568-5596-6
568-5596-6-DG
1727-4635-2
934064403115
1727-4635-1
568-5596-2
1727-4635-6

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
nexperia

ON5194,127

MOSFET POWER TRENCH I2PAK

nexperia

PMZ130UNEYL

MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3

nexperia

PSMN2R6-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

PSMN1R0-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56