Číslo produktu výrobce:
PSMN7R8-120ESQ
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PSMN7R8-120ESQ-DG
Popis:
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 120 V 70A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventář:
12829270
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PSMN7R8-120ESQ Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
120 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
70A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9473 pF @ 60 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
349W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I2PAK
Balení / pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základní číslo výrobku
PSMN7R8
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
1727-1509
934067449127
568-10989-5
2156-PSMN7R8-120ESQ-1727
568-10989-5-DG
PSMN7R8-120ESQ-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IPI076N12N3GAKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
498
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPI076N12N3GAKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.44
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK7M42-60EX
MOSFET N-CH 60V 20A LFPAK33
BUK9605-30A,118
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
PSMN4R5-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK56
