Číslo produktu výrobce:
PSMN8R0-80YLX
Product Overview
Výrobce:
Nexperia USA Inc.
Číslo dílu:
PSMN8R0-80YLX-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventář:
12828658
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
PSMN8R0-80YLX Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Nexperia
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
TrenchMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
100A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1mA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8167 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
238W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
LFPAK56, Power-SO8
Balení / pouzdro
SC-100, SOT-669
Základní číslo výrobku
PSMN8R0
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
1,500
Další jména
934069898115
5202-PSMN8R0-80YLXTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
PMZ950UPEYL
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
PMPB20ENZ
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK