Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
2N5551YTA
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2N5551YTA-DG
Popis:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventář:
1574 Ks Nový Originál Skladem
12834915
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2N5551YTA Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT)
Řada
-
Stav produktu
Last Time Buy
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
600 mA
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
160 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Proud - Odpojení sběrače (Max)
-
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 10mA, 5V
Výkon - Max
625 mW
Frekvence - přechod
100MHz
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Balíček zařízení dodavatele
TO-92-3
Základní číslo výrobku
2N5551
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
2N5551 - MMBT5551
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
488-2N5551YTATB
488-2N5551YTACT
2N5551YTA-DG
488-2N5551YTADKR-DG
488-2N5551YTADKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
2N5551YBU
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
2N5551YBU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.04
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
BC32725BU
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3
CPH6122-TL-E
TRANS PNP 30V 3A 6CPH
2N3013
TRANS NPN 15V 0.2A TO18
BC548_J35Z
TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3