Číslo produktu výrobce:
2N7002ET7G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2N7002ET7G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventář:
27330 Ks Nový Originál Skladem
12921679
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2N7002ET7G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300mW (Tj)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
2N7002
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
3,500
Další jména
488-2N7002ET7GCT
2N7002ET7G-DG
488-2N7002ET7GTR
488-2N7002ET7GDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
2SK4087LS
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220FI
ZXMN2AM832TA
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
SIHH125N60EF-T1GE3
MOSFET N-CH 600V 23A PPAK 8 X 8
