2N7002KT1G
Číslo produktu výrobce:

2N7002KT1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

2N7002KT1G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventář:

209815 Ks Nový Originál Skladem
12835856
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

2N7002KT1G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
320mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
24.5 pF @ 20 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
2N7002

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2N7002KT1GOSCT
2N7002KT1G-DG
ONSONS2N7002KT1G
2N7002KT1GOSTR
2N7002KT1GOSDKR
2156-2N7002KT1G
2832-2N7002KT1GTR

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FQPF6N80

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

onsemi

FDD4685-F085P

MOSFET P-CH 40V 32A TO252

microchip-technology

MCP87055T-U/LC

MOSFET N-CH 25V 60A 8PDFN

onsemi

FQPF7N60

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220F