2N7002L
Číslo produktu výrobce:

2N7002L

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

2N7002L-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventář:

91754 Ks Nový Originál Skladem
12921088
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

2N7002L Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
115mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
200mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
2N7002

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
2N7002LCT
2N7002LTR
2N7002LDKR
2156-2N7002L-OS
ONSONS2N7002L

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
vishay-siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

nexperia

PSMN7R0-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

onsemi

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

vishay-siliconix

SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220