Číslo produktu výrobce:
2SB1216S-E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2SB1216S-E-DG
Popis:
TRANS PNP 100V 4A TP
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventář:
12835690
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
H93G
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SB1216S-E Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
4 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
100 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
1µA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Výkon - Max
1 W
Frekvence - přechod
130MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balíček zařízení dodavatele
TP
Základní číslo výrobku
2SB1216
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
500
Další jména
2156-2SB1216S-E
ONSONS2SB1216S-E
1990-2SB1216S-E
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
2SA2186-AN
TRANS PNP 50V 2A 3NMP
2SC6096-TD-H
TRANS NPN 100V 2A PCP
2SA1768T-AN
TRANS PNP 160V 0.7A 3NMP
