Číslo produktu výrobce:
2SB817C-1E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2SB817C-1E-DG
Popis:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventář:
12837070
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SB817C-1E Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ tranzistoru
PNP
Proud - sběrač (Ic) (Max)
12 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
140 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
100µA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Výkon - Max
120 W
Frekvence - přechod
10MHz
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P-3L
Základní číslo výrobku
2SB817
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FJA4210OTU
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
392
DiGi ČÍSLO DÍLU
FJA4210OTU-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.81
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
2SA1386
VÝROBCE
Sanken Electric USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SA1386-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.19
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
MMBT2222AT-TP
TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
2SC4211-6-TL-E
TRANS NPN 50V 0.15A MCP
BC637RL1G
TRANS NPN 60V 1A TO92