Číslo produktu výrobce:
2SD1145F-AE
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2SD1145F-AE-DG
Popis:
BIP NPN 5A 20V
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventář:
16000 Ks Nový Originál Skladem
12933880
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SD1145F-AE Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN
Proud - sběrač (Ic) (Max)
5 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
20 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 60mA, 3A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
1µA (ICBO)
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 500mA, 2V
Výkon - Max
900 mW
Frekvence - přechod
120MHz
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Balíček zařízení dodavatele
3-MP
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
1,401
Další jména
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
Not applicable
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikace
Související produkty
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
