Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
2SK3746-1E
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
2SK3746-1E-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L
Podrobný popis:
N-Channel 1500 V 2A (Ta) 2.5W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
Inventář:
Poptejte online
12834687
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
2SK3746-1E Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
1500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 30 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 110W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P-3L
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
2SK3746
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
2SK3746
Technické listy
2SK3746-1E
HTML Datový list
2SK3746-1E-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
2SK3746-1E-DG
2SK3746-1EOS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E
VÝROBCE
Renesas Electronics Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5608
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTL2N450
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
199
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTL2N450-DG
CENY ZA JEDNOTKU
103.56
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
2SK3821-DL-E
MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD